VISHAY
BFR92AF
文档 号码 85098
rev. 1.3, 30-8月-04
vishay 半导体
www.vishay.com
1
2
1
3
静电的 敏感的 设备.
注意到 预防措施 为 处理.
16867
硅 npn planar rf 晶体管
描述
这 主要的 目的 的 这个 双极 晶体管 是 broad-
带宽 放大器 向上 至 1 ghz. 在 这 空间-节省
3-管脚 表面-挂载 sot-490 包装 电的 每-
formance 和 可靠性 是 带去 至 一个 新 水平的 cov-
ering 一个 小 footprint 在 pc boards 比 previous
包装. 在 增加 至 空间 savings, 这 sot-490
提供 一个 高等级的 水平的 的 可靠性 比 其它 3-管脚
包装, 此类 作 更多 阻抗 至 潮气. 预定的
至 这 短的 长度 的 它的 leads 这 sot-490 是 也
减少 包装 inductances 结果 在 一些 bet-
ter 电的 效能. 所有 的 这些 aspects 制造
这个 设备 一个 完美的 选择 为 要求 rf applica-
tions.
特性
• 高 电源 增益
• 低 噪音 图示
• 高 转变 频率
产品
宽 带宽 放大器 向上 至 ghz 范围.
机械的 数据
典型值:
BFR92AF
情况:
sot-490 塑料 情况
重量:
approx. 2.5 mg
固定:
1 = 集电级, 2 = 根基, 3 = 发射级
部分 表格
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最大 热的 阻抗
1)
在 glass fibre 打印 板 (25 x 20 x 1.5) mm
3
镀有 和 35
µ
m cu
Part 标记 包装
BFR92AF P2 sot-490
参数 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
20 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
15 V
发射级-根基 电压 V
EBO
2V
集电级 电流 I
C
30 毫安
总的 电源 消耗 T
amb
≤
60 °C P
tot
200 mW
接合面 温度 T
j
150 °C
存储 温度 范围 T
stg
-65 至 +150 °C
参数 测试 情况 标识 Value 单位
接合面 包围的
1)
R
thJA
450 k/w
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