BFR182W
8月-09-20011
npn 硅 rf 晶体管
为 低 噪音, 高-增益 broadband 放大器 在
集电级 电流 从 1 毫安 至 20 毫安
f
T
= 8 ghz
F
= 1.2 db 在 900 mhz
1
3
VSO05561
2
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFR182W RGs 1 = b 2 = e 3 = c SOT323
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
12 V
集电级-发射级 电压
V
CES
20
集电级-根基 电压
V
CBO
20
发射级-根基 电压
V
EBO
2
集电级 电流
I
C
35 毫安
根基 电流
I
B
4
总的 电源 消耗
T
S
90 °c
1)
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
2)
R
thJS
240
k/w
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
2
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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