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BFR93AW
jul-30-20011
npn 硅 rf 晶体管

用于 低 失真 宽带 放大器 和
振荡器 向上 至 2 ghz 在 收集器 电流 从
5 ma 至 30 ma
1
3
VSO05561
2
esd
:
e?
lectro
s
塔蒂克
d
ischarge 敏感 设备, 观察 搬运 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFR93AW R2s 1 = b 2 = e? 3 = c SOT323
最大值 额定值
参数 符号 值 单位
集电极-发射极 电压
v
CEO
12 v
集电极-发射极 电压
v
消费电子展
20
收集器-底座 电压
v
CBO
20
发射器-底座 电压
v
EBO
2
收集器 电流
我
c
50 ma
底座 电流
我
B
6
合计 电源 耗散
t
s

104 °c
1)
p
tot
300 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
环境 温度
t
一个
-65 ... 150
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
接合点 - 焊接 点
2)
右
thJS

155
k/w
1
t
s
是 已测量 开启 这 收集器 铅 在 这 焊接 点 至 这 pcb
2
用于 计算 的
右
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻

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BFR93AW jul-30-20011 npn 硅 rf 晶体管  用于低失真宽带放大器和振荡器向上至 2 ghz 在收集器电流从 5 ma 至 30 ma 1 3 VSO05561 2 esd : e? lectro s 塔蒂克 d ischarge 敏感设备, 观察搬运 precaution! 类型标记管脚配置包装 BFR93AW R2s 1 = b 2 = e? 3 = c SOT323 最大值额定值参数符号值单位集电极-发射极电压 v CEO 12 v 集电极-发射极电压 v 消费电子展 20 收集器-底座电压 v CBO 20 发射器-底座电压 v EBO 2 收集器电流我 c 50 ma 底座电流我 B 6 合计电源耗散 t s  104 °c 1) p tot 300 mW 接合点温度 t j 150 °C 环境温度 t 一个 -65 ... 150 存储温度 t stg -65 ... 150 热电阻接合点 - 焊接点 2) 右 thJS  155 k/w 1 t s 是已测量开启这收集器铅在这焊接点至这 pcb 2 用于计算的右 thja 请参考至应用程序备注热电阻

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