BFR96TS
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rev. 4, 20-jan-99
1 (9)
文档 号码 85037
硅 npn planar rf 晶体管
静电的 敏感的 设备.
注意到 预防措施 为 处理.
产品
rf 放大器 向上 至 ghz 范围 specially 为 宽 带宽
触角 放大器.
特性
D
高 电源 增益
D
低 噪音 图示
D
高 转变 频率
94 9308
1
3
2
bfr96ts 标记: bfr96ts
塑料 情况 (至 50)
1 = 集电级, 2 = 发射级, 3 = 根基
13623
绝对 最大 比率
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
20 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
15 V
发射级-根基 电压 V
EBO
2.5 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗 T
amb
≤
70
°
C P
tot
700 mW
接合面 温度 T
j
175
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
最大 热的 阻抗
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 glass fibre 打印 板 (40 x 25 x 1.5) mm
3
镀有 和 35
m
m cu
R
thJA
150 k/w