1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
4
01.11.2003
bfs 20 高 frequency 晶体管
NPN
表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
NPN
电源 消耗 – verlustleistung 250 mw
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b 2 = e 3 = c
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bfs 20
集电级-发射级-电压 b 打开 V
CE0
20 v
集电级-根基-电压 e 打开 V
CB0
30 v
发射级-根基-电压 c 打开 V
EB0
4 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
250 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) I
C
25 毫安
顶峰 集电级 电流– kollektor-spitzenstrom I
CM
25 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
集电级 - 根基 截-止 current – kollektorreststrom
I
E
= 0, v
CB
= 20 v I
CB0
– – 100 na
I
E
= 0, v
CB
= 20 v, t
j
= 100
CI
CB0
– – 10
一个
发射级 - 根基 截-止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, v
EB
= 4 v I
EB0
– – 100 na
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
类型
代号
1.9