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资料编号:170473
 
资料名称:BFS17W
 
文件大小: 46.36K
   
说明
 
介绍:
NPN 1 GHz wideband transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFS17W
jul-13-20011
npn 硅 rf 晶体管
为 broadband 放大器 向上 至 1 ghz 在 集电级
电流 从 1 毫安 至 20 毫安
1
3
VSO05561
2
类型 标记 管脚 配置 包装
BFS17W MCs 1 = b 2 = e 3 = c SOT323
最大 比率
参数 标识 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
15 V
集电级-根基 电压
V
CBO
25
发射级-根基 电压
V
EBO
2.5
集电级 电流
I
C
25 毫安
顶峰 集电级 电流
,
f
= 10 mhz
I
CM
50
总的 电源 消耗
T
S
93 °c
1)
P
tot
280 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
2)
R
thJS
205
k/w
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
2
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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