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BFS17LT1
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
高-频率 晶体管
设计primarily 为 使用 在high–gain, low–noise 放大器, 振荡器 和
mixer产品. packaged 为 厚 或者 薄的 影片 电路 使用 表面 挂载
组件.
•
t1 后缀 indicates 录音带 和 卷轴 包装 的 3,000 单位 每 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
15 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
25 Vdc
最大 接合面 温度 T
Jmax
150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗, t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
c (1)
P
D
350
2.8
mW
mw/
°
C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 (1) R
θ
JA
357
°
c/w
设备 标记
bfs17lt1 = e1
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 10 毫安) V
(br)ceo
15 — — Vdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= 100
µ
一个) V
(br)cbo
25 — — Vdc
集电级 截止 电流 (v
CE
= 10 v) I
CEO
— — 25 nA
集电级 截止 电流 (v
CB
= 10 v) I
CBO
— — 25 nA
发射级 截止 电流 (v
EB
= 4 v) I
EBO
— — 100
µ
一个
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 2 毫安, v
CE
= 1 v)
(i
C
= 25 毫安, v
CE
= 1 v)
h
FE
20
20
—
—
150
—
—
collector–emitter 饱和 电压
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安)
V
ce(sat)
— — 0.4 V
base–emitter 饱和 电压
(i
C
= 10 毫安, i
B
= 1 毫安)
V
是(sat)
— — 1 V
small–signal 特性
current–gain — 带宽 产品
(i
C
= 2 毫安, v
CE
= 5 v, f = 500 mhz)
(i
C
= 25 毫安, v
CE
= 5 v, f = 500 mhz)
f
T
—
—
1
1.3
—
—
GHz
输出 电容 (v
CB
= 10 v, f = 1 mhz) CCB — 1 — pF
噪音 图示 (i
C
= 2 毫安, v
CE
= 5 v, r
S
= 50
Ω
, f = 30 mhz) NF — 5 — dB
便条:
1. 包装 挂载 在 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6 mm.
顺序 这个 文档
用 bfs17lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
BFS17LT1
rf 晶体管
npn 硅
情况 318–08, 样式 6
SOT–23
低 profile
(to–236aa/ab)
motorola, 公司 1995
rev 7
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