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©
1995
mos 整体的 电路
µ
pd43256b-x
256k-位 cmos 静态的 内存
32k-文字 用 8-位
扩展 温度 运作
数据 薄板
文档 非. m11012ej4v0dsj1 (4th 版本)
日期 发行 12月 2000 ns cp (k)
打印 在 日本
这 mark
★
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描述
这
µ
pd43256b-x 是 一个 高 速, 低 电源, 和 262,144 位 (32,768 words 用 8 bits) cmos 静态的 ram.
这
µ
pd43256b-x 是 一个 扩展-运行-温度 版本 的 这
µ
pd43256b (x 版本 : t
一个
= –25 至 +85
°
c). 和 一个 和 b 版本 是 低 电压 行动. 电池 backup 是 有.
这
µ
pd43256b-x 是 packed 在 28-管脚 塑料 tsop (i) (8 x 13.4 mm).
特性
•
32,768 words 用 8 位 organization
•
快 进入 时间: 70, 85, 100, 120, 150 ns (max.)
•
运行 包围的 温度: t
一个
= –25 至 +85
°
C
•
低 电压 运作 (一个 版本: v
CC
= 3.0 至 5.5 v, b 版本: v
CC
= 2.7 至 5.5 v)
•
低 v
CC
数据 保持: 2.0 v (最小值.)
•
/oe 输入 为 容易 应用
部分 号码 进入 时间 运行 供应 运行 包围的 供应 电流
ns (最大值.) 电压 温度 在 运行 在 备用物品 在 数据 保持
V °C 毫安 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
Note1
µ
pd43256b-xxx 70, 85 4.5 至 5.5
−
25 至 +85 45 50 2
µ
pd43256b-axxx
85
Note2
, 100, 120
Note2
3.0 至 5.5
µ
pd43256b-bxxx
Note2
100, 120
Note2
, 150
Note2
2.7 至 5.5 40
注释 1.
T
一个
≤
40
°
c, v
CC
= 3.0 v
2.
100 s (最大值.) (v
CC
= 4.5 至 5.5 v)
版本 x
这个 数据 薄板 能 是 应用 至 这 版本 x. 各自 版本 是 identified 和 它的 lot 号码. letter x 在 这 fifth
character 位置 在 一个 lot 号码 signifies 版本 x.
d43256b-x
lot 号码
日本
•
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