初步
修订 0.3
km681000b 家庭 cmos sram
april 1996
128k x8 有点 低 电源 cmos 静态 ram
这 km681000b 家庭 是 预制 由 samsung's 高级
cmos 流程 技术. 这 家庭 可以 支持 各种
操作 温度 范围 和 有 各种 包装 类型
用于 用户 灵活性 的 系统 设计. 这 家庭 也 支持 低
数据 保留 电压 用于 蓄电池 备份 操作 与 低
数据 保留 电流.
概述 描述特点
¡Ü
流程 技术 : 0.6
§-
CMOS
¡Ü
组织机构 : 128kx8
¡Ü
电源 供应 电压 : 单独 5.0v
¡¾
10%
¡Ü
低 数据 保留 电压 : 2v(最小)
¡Ü
三个 州 输出 和 ttl 兼容
¡Ü
包装 类型 : 电子元件工业联合会 标准
32-倾角, 32-sop, 32-tsop 我 右/f
管脚 描述
姓名 功能
一个0~A16 地址 输入
我们 写 启用 输入
cs1,cs2
芯片 选择 输入
oe 输出 启用 输入
我/o1~i/o18 数据 输入/产出
Vcc 电源
vss 接地
n.c 否 连接
x-解码器
细胞
阵列
产品 家庭
产品
家庭
操作
温度
速度 pkg 类型
电源 耗散
备用
(我SB1, 最大值)
操作
(我CC2)
KM681000BL
商业(0~7
¡É
) 55/70ns
32-倾角,32-sop
32-tsop 我 右/f
100
§Ë
70mA
km681000bl-l
20
§Ë
KM681000BLE
扩展(-25~85
¡É
) 70/100ns
32-sop
32-tsop 我 右/f
100
§Ë
km681000ble-l
50
§Ë
KM681000BLI
工业(-40~85
¡É
) 70/100ns
32-sop
32-tsop 我 右/f
100
§Ë
km681000bli-l
50
§Ë
控制 逻辑
y-解码器
我/o 缓冲区
功能 块 图表
一个0~3,一个8~11
一个4~7,
我/o1~8
32-tsop
类型 我-反向
一个12~16
cs1,cs2
我们,oe
一个11
一个9
一个8
一个13
我们
cs2
一个15
v抄送
nc
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
oe
一个10
cs1
我/o8
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
vss
我/o3
我/o2
我/o1
一个0
一个1
一个2
一个3
32-tsop
类型 我 - 前进
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
n.c
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
一个3
一个2
一个1
一个0
我/o1
我/o2
我/o3
vss
v抄送
一个15
cs2
我们
一个13
一个8
一个9
一个11
oe
一个10
cs1
我/o8
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
32-倾角
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-sop
一个11
一个9
一个8
一个13
我们
cs2
一个15
v抄送
nc
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
oe
一个10
cs1
我/o8
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
vss
我/o3
我/o2
我/o1
一个0
一个1
一个2
一个3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
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