©2002 仙童 半导体 公司 isl9n7030blp3, isl9n7030bls3st rev. b
isl9n7030blp3, isl9n7030bls3st
30v, 0.009 ohm, 75a, n-channel 逻辑
水平的 ultrafet® trench 电源 mosfets
这个 设备 雇用 一个 新 先进的 trench 场效应晶体管
技术 和 特性 低 门 承担 当 维持
低 在-阻抗.
优化 为 切换 产品, 这个 设备 改进
这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 和 准许
运作 至 高等级的 切换 发生率.
包装
特性
•fast 切换
•r
ds(在)
= 0.0064
Ω (
Typ)
,
V
GS
=
10V
•r
ds(在)
= 0.010
Ω (
Typ)
,
V
GS
=
4.5v
•Q
g
总的 24nc
(
Typ),V
GS
= 5v
•Q
gd
(
典型值). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11nC
•C
ISS
(
典型值) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2600pF
标识
产品 可靠性 信息 能 是 建立 在 http://www.fairchildsemi.com/产品/分离的/可靠性/index.html
为 severe 环境, 看 我们的 automotive 产品.
所有 仙童 半导体 产品 是 制造的,聚集 和 测试 下面 iso9000 和 qs9000 质量 系统 certification.
ISL9N7030BLS3ST
电子元件工业联合会 至-263ab
ISL9N7030BLP3
电子元件工业联合会 至-220ab
门
源
流
(flange)
流
(flange)
流
源
GATE
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
ISL9N7030BLP3 至-220ab 7030BL
ISL9N7030BLS3ST 至-263ab (录音带 和 卷轴) 7030BL
PWM
优化
D
G
S
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
标识 参数 isl9n7030blp3, isl9n7030bls3st 单位
V
DSS
流 至 源 电压 (便条 1) 30 V
V
DGR
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω
) (便条 1) 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
I
D
I
D
I
DM
流 电流
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v) (图示 2)
持续的 (t
C
= 100
o
c, v
GS
= 4.5v) (图示 2)
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JA
= 43
o
c/w)
搏动 流 电流
75
48
15
图示 4
一个
一个
一个
一个
P
D
电源 消耗
减额 在之上 25
o
C
100
0.67
W
w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
T
L
T
pkg
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s
包装 身体 为 10s, 看 techbrief tb334
300
260
o
C
o
C
热的 规格
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面至 情况, 至-220, 至-263 1.5
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至包围的, 至-220, 至-263 62
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的, 至-263, 1in
2
铜 垫子 范围 43
o
c/w
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
提醒:
压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 rating 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
数据 薄板 January2002
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