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资料编号:177696
 
资料名称:BPW85C
 
文件大小: 86.78K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Phototransistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BPW85
vishay telefunken
1 (6)
rev. 3, 16-十一月-99
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文件 号码 81531
硅 npn 光电晶体管
描述
bpw85 是 一个 高 速度 和 高 敏感 硅 npn
外延 平面 光电晶体管 入点 一个 标准 t–1 (ø 3
mm) 塑料 包装. 到期 至 其 waterclear 环氧树脂 这
设备 是 敏感 至 可见 和 近 红外线 radi-
位置.
±
25
°
使 它 insensible 至 ambi-
ent straylight.
特点
d
快 响应 次
d
高 照片 灵敏度
d
标准 t–1 (ø 3 mm ) 清除 塑料 包装
d
轴向 接线端子
d
角片 的 一半 灵敏度
ϕ
=
±
25
°
d
适合 用于 可见 和 近 红外线 辐射
d
已选择 进入 灵敏度 团体
94 8396
应用程序
检测器 入点 电子 控制 和 驱动器 电路
绝对 最大值 额定值
t
amb
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 符号 单位
收集器 发射器 电压 v
CEO
70 v
发射器 收集器 电压 v
eco
5 v
收集器 电流
c
50 ma
峰值 收集器 电流
t
p
/t = 0.5, t
p
x
10 ms
厘米
100 ma
合计 电源 耗散
t
amb
x
55
°
c
p
tot
100 mW
接合点 温度 t
j
100
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–55...+100
°
c
焊接 温度
t
x
3 s, 2 mm 从 案例
t
sd
260
°
c
热 电阻 接合点/环境
thja
450 k/w
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