关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:180325
资料名称:
BS850
文件大小: 70.36K
说明
:
介绍
:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
dmos 晶体管 (p-频道)
维度 在 英寸 和 (毫米)
.016 (0.4)
.056 (1.43
)
.037(0.95)
.037(0.95)
最大值 .004 (0.1)
.122 (3.1)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
3
12
顶 视图
.102 (2.6)
.007 (0.175)
.045 (1.15)
.118 (3.0)
.052 (1.33
)
.005 (0.125)
.094 (2.4)
.037 (0.95)
情况:
sot-23 塑料 包装
重量:
approx. 0.008 g
机械的 数据
最大 比率 和 电的 特性
比率 在
25 °c
包围的 温度 除非 否则 指定
管脚 配置
1 = 门, 2 = 源, 3 = 流
sot-23
4/98
BS850
inverse 二极管
标识
值
单位
流-源 电压
–V
DSS
60
V
流-门 电压
–V
DGS
60
V
门-源 电压 (搏动)
V
GS
± 20
V
流 电流 (持续的)
–I
D
250
毫安
电源 消耗 在 t
SB
= 50 °c
P
tot
0.310
1)
W
接合面 温度
T
j
150
°C
存储 温度 范围
T
S
–65 至
+150
°C
1)
设备 在 fiberglass 基质, 看 布局
标识
值
单位
最大值 向前 电流 (持续的)
在 t
amb
= 25 °c
I
F
0.3
一个
向前 电压 漏出 (典型值.)
在 v
GS
= 0, i
F
= 0.12 一个, t
j
= 25 °c
V
F
0.85
V
标记
S50
♦
高 输入 阻抗
♦
高-速 切换
♦
非 minority 运输车 存储 时间
♦
cmos 逻辑 兼容 输入
♦
非 热的 runaway
♦
非 secondary 损坏
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com