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资料编号:180325
 
资料名称:BS850
 
文件大小: 70.36K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
dmos 晶体管 (p-频道)
维度 在 英寸 和 (毫米)
.016 (0.4)
.056 (1.43
)
.037(0.95) .037(0.95)
最大值 .004 (0.1)
.122 (3.1)
.016 (0.4) .016 (0.4)
3
12
顶 视图
.102 (2.6)
.007 (0.175)
.045 (1.15)
.118 (3.0)
.052 (1.33
)
.005 (0.125)
.094 (2.4)
.037 (0.95)
情况:
sot-23 塑料 包装
重量:
approx. 0.008 g
机械的 数据
最大 比率 和 电的 特性
25 °c
包围的 温度 除非 否则 指定
管脚 配置
1 = 门, 2 = 源, 3 = 流
sot-23
4/98
BS850
inverse 二极管
标识 单位
流-源 电压 –V
DSS
60 V
流-门 电压 –V
DGS
60 V
门-源 电压 (搏动) V
GS
± 20 V
流 电流 (持续的) –I
D
250 毫安
电源 消耗 在 t
SB
= 50 °c P
tot
0.310
1)
W
接合面 温度 T
j
150 °C
存储 温度 范围 T
S
–65 至+150 °C
1)
设备 在 fiberglass 基质, 看 布局
标识 单位
最大值 向前 电流 (持续的)
在 t
amb
= 25 °c
I
F
0.3 一个
向前 电压 漏出 (典型值.)
在 v
GS
= 0, i
F
= 0.12 一个, t
j
= 25 °c
V
F
0.85 V
标记
S50
高 输入 阻抗
高-速 切换
非 minority 运输车 存储 时间
cmos 逻辑 兼容 输入
非 热的 runaway
非 secondary 损坏
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