飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 BSH207
mos 晶体管
特性 标识 快 涉及 数据
• 非常 低 门槛 电压
V
DS
= -12 v
• 快 切换
• 逻辑 水平的 兼容
I
D
= -1.52 一个
• subminiature 表面 挂载
包装
R
ds(在)
≤
0.15
Ω
(v
GS
= -2.5 v)
V
gs(至)
≥
0.4 v
一般 描述 固定 SOT457
p-频道, 增强 模式,
管脚 描述
逻辑 水平的, 地方-效应 电源
晶体管. 这个 设备 有 低 1,2,5,6 流
门槛 电压 和 极其
快 切换 制造 它 完美的 为 3 门
电池 powered 产品 和
高 速 数字的 接合. 4 源
这 BSH207 是 有提供的 在 这
SOT457 subminiature 表面
挂载 包装.
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 - -12 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
- -12 V
V
GS
门-源 电压 -
±
8V
I
D
流 电流 (直流) T
一个
= 25 ˚c - -1.52 一个
T
一个
= 100 ˚c - -0.96 一个
I
DM
流 电流 (脉冲波 顶峰 值) T
一个
= 25 ˚c - -6.09 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
一个
= 25 ˚c - 0.417 W
T
一个
= 100 ˚c - 0.17 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - 55 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 fr4 板, 最小 300 - k/w
包围的 footprint
d
g
s
1
3
5
顶 视图
2
4
6
8月 1998 1 rev 1.000
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