半导体 组 11.96
•
2 097 152 words 用 8-位 organization
•
0 至 70 °c 运行 温度
•
效能::
•
单独的 + 5 v (
±
10 %) 供应
•
低 电源 消耗
最大值 660 起作用的 mw (-50 版本)
最大值 605 起作用的 mw (-60 版本)
最大值 550 起作用的 mw (-70 版本)
11 mw 备用物品(ttl)
5.5. mw 备用物品 (cmos)
•
输出 unlatched 在 循环 终止 准许 二-dimensional 碎片 选择
•
读, 写, 读-modify-写, cas-在之前-rasrefresh, ras-仅有的 refresh, hidden refresh,
自 refresh 和 测试 模式
•
快 页 模式 能力
•
所有 输入, 输出 和 clocks fullyttl-compatible
•
2048 refresh 循环 / 32 ms
•
塑料 包装: p-soj-28-3 400 mil
-50 -60 -70
t
RAC
RAS进入 时间 50 60 70 ns
t
CAC
CAS进入 时间 13 15 20 ns
t
AA
进入 时间 从 地址 25 30 35 ns
t
RC
读/写 循环 时间 90 110 130 ns
t
PC
快 页 模式 循环 时间 35 40 45 ns
2m x 8-位 动态 内存
先进的 信息
hyb5117800bsj-50/-60/-70