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资料编号:180447
 
资料名称:BSM15GD120DN2E3224
 
文件大小: 249.4K
   
说明
 
介绍:
IGBT Power Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1 oct-20-1997
bsm 15 gd 120 dn2
igbt 电源 单元
• 电源 单元
• 3-阶段 全部-桥
• 包含 快 自由-轮子 二极管
• 包装 和 insulated metal 根基 加设护板
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
bsm 15 gd 120 dn2 1200V 25一个 econopack 2 c67076-a2504-a67
bsm 15 gd120dn2e3224 1200V 25一个 c67070-a2504-a67
最大 比率
参数
标识 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20k
V
CGR
1200
门-发射级 电压
V
GE
±20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
C
15
25
一个
搏动 集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
Cpuls
30
50
电源 消耗 每 igbt
T
C
= 25 °c
P
t
145
W
碎片 温度
T
j
+ 150 °C
存储 温度
T
stg
-40 ... + 125
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
0.86
k/w
二极管 热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
D
1.5
绝缘 测试 电压,
t
= 1min.
V
2500 Vac
creepage 距离 - 16 mm
Clearance - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - F
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 40 / 125 / 56
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