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半导体 组 24 03.96
类型 订货 代号
bsm 111 ar c67076-s1013-a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
流-源 电压
V
DS
100 V
流-门 电压,
R
GS
= 20 k
Ω
V
DGR
100
门-源 电压
V
GS
±
20
持续的 流 电流,
T
C
= 25 ˚C
I
D
200 一个
搏动 流 电流,
T
C
= 25 ˚C
I
d puls
600
运行 和 存储 温度 范围
T
j
,
T
stg
– 55 … + 150 ˚C
电源 消耗,
T
C
= 25 ˚C
P
tot
700 W
热的 阻抗
碎片-情况
R
thJC
≤
0.18 k/w
绝缘 测试 电压
2)
,
t
= 1 最小值
V
是
2500 V
交流
creepage 距离, 流-源 – 16 mm
clearance, 流-源 – 11
din 湿度 类别, din 40 040 – F –
iec climatic 类别, din iec 68-1 – 55/150/56
1)
看 chapter 包装 外形 和 电路 图解.
2)
绝缘 测试 电压 在 流 和 根基 加设护板 涉及 至 标准 climate 23/50 在 acc. 和
din 50 014, iec 146, para. 492.1.
SIMOPAC
®
单元 bsm 111 ar
V
DS
= 100 v
I
D
= 200 一个
R
ds(在)
= 8.5 m
Ω
●
电源 单元
●
单独的 转变
●
n 频道
●
增强 模式
●
包装 和 insulated metal 根基 加设护板
●
包装 外形/电路 图解: 1
1)

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半导体组 24 03.96 类型订货代号 bsm 111 ar c67076-s1013-a2 最大比率参数标识值单位流-源电压 V DS 100 V 流-门电压, R GS = 20 k Ω V DGR 100 门-源电压 V GS ± 20 持续的流电流, T C = 25 ˚C I D 200 一个搏动流电流, T C = 25 ˚C I d puls 600 运行和存储温度范围 T j , T stg – 55 … + 150 ˚C 电源消耗, T C = 25 ˚C P tot 700 W 热的阻抗碎片-情况 R thJC ≤ 0.18 k/w 绝缘测试电压 2) , t = 1 最小值 V 是 2500 V 交流 creepage 距离, 流-源 – 16 mm clearance, 流-源 – 11 din 湿度类别, din 40 040 – F – iec climatic 类别, din iec 68-1 – 55/150/56 1) 看 chapter 包装外形和电路图解. 2) 绝缘测试电压在流和根基加设护板涉及至标准 climate 23/50 在 acc. 和 din 50 014, iec 146, para. 492.1. SIMOPAC ® 单元 bsm 111 ar V DS = 100 v I D = 200 一个 R ds(在) = 8.5 m Ω ● 电源单元 ● 单独的转变 ● n 频道 ● 增强模式 ● 包装和 insulated metal 根基加设护板 ● 包装外形/电路图解: 1 1)

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