BSM150GAL120DN2E3166_集成电路资料查询网

半导体 组
1 十一月-08-1996
BSM150GAL120DN2E3166
igbt  电源 单元
• 单独的 转变 和 chopper 二极管
• 包含 快 自由-转动 二极管
• 包装 和 insulated metal 根基 加设护板
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
BSM150GAL120DN2E31661200V 210A half 桥 gal 2 c67076-a2112-a70
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20 k
Ω
V
CGR
1200
门-发射级 电压
V
GE
± 20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
C
150
210
一个
搏动  集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 80 °c
I
Cpuls
300
420
电源 消耗 每 igbt
T
C
= 25 °c
P
tot
1250
W
碎片 温度
T
j
+ 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
≤
0.1
k/w
二极管 热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
D
≤
0.25
二极管 热的 阻抗, 碎片-情况,chopper
R
THJC
直流
≤
0.125
绝缘 测试 电压,
t
= 1min.
V
是
4000 Vac
creepage 距离 - 20 mm
Clearance - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - F 秒
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56

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半导体组 1 十一月-08-1996 BSM150GAL120DN2E3166 igbt 电源单元 • 单独的转变和 chopper 二极管 • 包含快自由-转动二极管 • 包装和 insulated metal 根基加设护板类型 V CE I C 包装订货代号 BSM150GAL120DN2E31661200V 210A half 桥 gal 2 c67076-a2112-a70 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CE 1200 V 集电级-门电压 R GE = 20 k Ω V CGR 1200 门-发射级电压 V GE ± 20 直流集电级电流 T C = 25 °c T C = 80 °c I C 150 210 一个搏动集电级电流, t p = 1 ms T C = 25 °c T C = 80 °c I Cpuls 300 420 电源消耗每 igbt T C = 25 °c P tot 1250 W 碎片温度 T j + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150 热的阻抗, 碎片情况 R thJC ≤ 0.1 k/w 二极管热的阻抗, 碎片情况 R thJC D ≤ 0.25 二极管热的阻抗, 碎片-情况,chopper R THJC 直流 ≤ 0.125 绝缘测试电压, t = 1min. V 是 4000 Vac creepage 距离 - 20 mm Clearance - 11 din 湿度类别, din 40 040 - F 秒 iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56

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