2n5551 / mmbt5551
2N5551
MMBT5551
npn 概述 目的 放大器
这个 设备 是 设计 用于 概述 目的 高 电压 放大器
和 气体 放电 显示 驾驶. 来源 从 流程 16.
绝对 最大值 ratings*
助教 = 25°c 除非 否则 已注明
*
这些 额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 任何 半导体 设备 将 是 受损.
备注
:
1)
这些 额定值 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 150 学位 c.
2)
这些 是 稳定 州 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲 或 低 职责 循环 运营.
符号 参数 值 单位
v
CEO
集电极-发射极 电压 160 v
v
CBO
收集器-底座 电压 180 v
v
EBO
发射器-底座 电压 6.0 v
我
c
收集器 电流 - 连续 600 ma
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 至 +150
°
c
热 特性
助教 = 25
°
c 除非 否则 已注明
符号 特性 最大值 单位
2N5551 *MMBT5551
p
d
合计 设备 耗散
降额 以上 25
°
c
625
5.0
350
2.8
mW
mW/
°
c
右
θ
jc
热 电阻, 接合点 至 案例 83.3
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 接合点 至 环境 200 357
°
c/w
c
B
e?
至-92
c
B
e?
sot-23
标记: 3s
*
设备 已安装 开启 右前-4 pcb 1.6" x 1.6" x 0.06."
2000 仙童 半导体 国际
2n5551/mmbt5551 rev 一个
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