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资料编号:181723
 
资料名称:MMBT5551LT1
 
文件大小: 165.54K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Transistors(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 4
1
出版物 订单 号码:
mmbt5550lt1/d
mmbt5550lt1,
MMBT5551LT1
mmbt5551lt1 是 一个 首选 设备
高 电压 晶体管
npn 硅
特点
pb−free 软件包 是 可用
最大值 额定值
评级 符号 5550 5551 单位
收集器发射器 电压 v
CEO
140 160 Vdc
收集器底座 电压 v
CBO
160 180 Vdc
发射器底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 − 连续
c
600 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散
FR−5 板 (备注 1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材 (备注 2)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点. 99.5% 氧化铝.
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
设备
包装
装运
订购 信息
MMBT5550LT1
SOT−23
3000 胶带 &放大器; 卷轴
MMBT5551LT1
SOT−23
sot−23 (to−236)
案例 318
风格 6
3000 胶带 &放大器; 卷轴
标记
图表
xxx = mmbt550lt1 = m1f,
mmbt5551lt1, lt3, lt1g = g1
m = 月份 代码
收集器
3
1
底座
2
发射器
xxxM
MMBT5551LT3G
SOT−23
(pb−free)
10,000 胶带 &放大器; 卷轴
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至 我们的 胶带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MMBT5551LT1G
SOT−23
(pb−free)
3000 胶带 &放大器; 卷轴
MMBT5551LT3
SOT−23
10,000 胶带 &放大器; 卷轴
MMBT5550LT1G
SOT−23
(pb−free)
3000 胶带 &放大器; 卷轴
http://onsemi.com
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