p-to263-15-1
数据 薄板 1 2003-03-11
TrilithIC
数据 薄板
BTS 7810 K
1Overview
1.1 特性
• 四方形 d-mos 转变
• 自由 configurable 作 桥 或者 四方形-转变
• 优化 为 直流 发动机 管理 产品
•Low
R
DS 在
: 26 m
Ω
高-一侧 转变, 14 m
Ω
低-一侧
转变 (典型 值 @ 25
°
c)
• 最大 顶峰 电流: 典型值 42 一个 @ 25
°
C
=
• 非常 低 安静的 电流: 典型值 4
µ
一个 @ 25
°
C
=
• 小 外形, 热的 优化 powerpak
• 加载 和 地-短的-电路-保护
• 运作 向上 至 40 v
• 状态 标记 为 在 温度
• 打开 加载 发现 在 止-模式
• overtemperature shut 向下 和 hysteresis
• 内部的 clamp 二极管
• 分开的 来源 为 外部 电流 感觉到
• 下面-电压 发现 和 hysteresis
1.2 描述
这
BTS 7810 K
是 部分 的 这
TrilithIC
家族 containing 三 dies 在 一个 包装:
一个 翻倍 高-一侧 转变 和 二 低-一侧 switches. 这 drains 的 这些 三
vertical dmos 碎片 是 挂载 在 separated leadframes. 这 来源 是 连接
至 单独的 管脚, 所以 这
BTS 7810 K
能 是 使用 在 h-桥- 作 好 作 在 任何 其它
配置. 这 翻倍 高-一侧 是 制造的 在
smart sipmos
®
技术
这个 结合 低
R
DS 在
vertical dmos 电源 stages 和 cmos 控制 电路. 这
高-一侧 转变 是 全部地 保护 和 包含 这 控制 和 diagnosis 电路. 至
达到 低
R
DS 在
和 快 切换 效能, 这 低-一侧 switches 是
制造的 在
s-场效应晶体管 2
逻辑 水平的 技术. 这 相等的 标准 产品 是 这
spd30n06s2l-13
.
类型 订货 代号 包装
BTS 7810 K q67060-s6129 p-to263-15-1