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资料编号:184074
 
资料名称:BU508DF
 
文件大小: 40.62K
   
说明
 
介绍:
NPN POWER TRANSISTORS
 
 


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continental 设备 印度 限制
一个 是/iso 9002 和 iecq certified 生产者
npn 电源 晶体管 bu508f, bu508af,
BU508DF
至- 3p 全部地 分开的
塑料 包装
快 切换, 高 电压 设备 为 使用 在 horizontal deflection 电路 的 colour tv
绝对 最大 比率
描述 标识 单位
集电级 -发射级 电压
V
CES
V
集电级 -发射级 电压
V
CEO
V
发射级 根基 电压
V
EBO
V
I
C
一个
集电级 顶峰 电流
I
CM
总的 电源 消耗 upto t
一个
=25º c
P
tot
W
T
c
=25º c
存储 温度 范围
T
stg
ºC
最大值 运行 接合面 温度
T
j
ºC
热的 阻抗
热的 阻抗 接合面 - 情况
R
th (j-c)
ºc/w
电的 特性 (t
C
=25ºc 除非 指定 否则)
.
描述 标识
测试 情况 最小值 典型值 最大值
单位
集电级 截 止 电流
I
CES
V
CE
=V
CES
, v
=0 1.0 毫安
集电级 发射级 sustaining 电压
V
ceo (sus)
* I
B
=0, i
C
=100mA
700
V
V
EBO
I
E
=10ma, i
C
=0
5.0
V
bu508f, af
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=5v, i
C
=0 300 毫安
BU508DF
直流 电流 增益
h
FE
I
C
=4.5a, v
CE
=5V
2.25
二极管 向前 电压
V
F
I
F
=4.0a 2.0 V
BU508DF
集电级 发射级 饱和 电压
V
ce(sat) *
I
C
=4.5a, i
B
=2.0a 1.0 V
bu508af, df
I
C
=4.5a, i
B
=2.0a 5.0 V
BU508F
根基 发射级 饱和 电压
V
是(sat) *
I
C
=4.5a, i
B
=2.0a
1.5
V
切换 时间
存储 时间
t
s
I
C
=4.5a,h
FE
=2.5,v
CC
=140V
7.0
µ
s
下降 时间
t
f
L
C
=0.9mh, l
B
=3
µ
H
0.5
µ
s
* 脉冲波 测试: 脉冲波 持续时间<300
µµ
s , 职责 循环<1.5%.
8
15
34
60
- 65 至 +150
150
2.08
1500
700
5
是/iso 9002
lic# qsc/l- 000019.2
B
C
E
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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