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资料编号:184085
 
资料名称:BU508AX
 
文件大小: 63.23K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU508AX
一般 描述
高 电压, 高-速 切换 npn 晶体管 在 一个 全部地 分开的 sot399 封套, primarily 为 使用 在
horizontal deflection 电路 的 colour television 接受者.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 700 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 15 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 45 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5 一个; i
B
= 1.6 一个 - 1.0 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 f = 16 khz 4.5 - 一个
t
f
下降 时间 I
Csat
= 4.5 一个; f = 16khz 0.7 -
µ
s
固定 - sot399 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
情况 分开的
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 700 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 15 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 4 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 6 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 45 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 没有 散热器 复合 - 3.7 k/w
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 2.8 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 35 - k/w
情况
123
b
c
e
july 1998 1 rev 1.200
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