©2001 仙童 半导体 公司 rev. b1, 8月 2001
but11/11a
npn 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲: 脉冲 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 = 1.5%
热 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压
: but11
: but11a
850
1000
v
v
CEO
集电极-发射极 电压
: but11
: but11a
400
450
v
v
EBO
发射器-底座 电压 9 v
我
c
收集器 电流 (直流) 5 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) 10 一个
我
B
底座 电流 (直流) 2 一个
我
BP
*base 电流 (脉冲) 4 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 100 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
CEO
(sus) * 集电极-发射极 维持 电压
: but11
: but11a
我
c
= 100ma, 我
B
= 0 400
450
v
v
我
消费电子展
收集器 截止 电流
: but11
: but11a
v
ce
= 850v, v
是
= 0 1
1
ma
ma
我
EBO
发射器 截止 电流 v
是
= 9v, 我
c
= 0 10 ma
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压
: but11
: but11a
我
c
= 3a, 我
B
= 0.6a
我
c
= 2.5a, 我
B
= 0.5a
1.5
1.5
v
v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压
: but11
: but11a
我
c
= 3a, 我
B
= 0.6a
我
c
= 2.5a, 我
B
= 0.5a
1.3
1.3
v
v
t
开启
转弯 开启 时间 v
抄送
= 250v, 我
c
= 2.5a
我
B1
= -我
B2
= 0.5a
右
l
= 100
Ω
1
µ
s
t
stg
存储 时间 4
µ
s
t
f
坠落 时间 0.8
µ
s
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 接合点 至 案例 1.25
°
c/w
but11/11a
高 电压 电源 开关 应用程序
1.底座 2.收集器 3.发射器
1
至-220
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