>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:185265
 
资料名称:BUT11XI
 
文件大小: 69.33K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BUT11XI的Datasheet PDF文件第7页
7
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 扩散 电源 晶体管 BUT11XI
概述 描述
高-电压, 高速 玻璃-钝化 npn 电源 晶体管 入点 一个 塑料 已满-空调组件 信封 预期 用于 使用 入点
电子 hf/哦 照明 镇流器 应用程序, 转换器, 逆变器, 开关 regulators, 电机 控制 systems,
快速 参考 数据
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1000 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 450 v
c
收集器 电流 (直流) - 5 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 10 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
hs
25 ˚c - 32 w
v
CEsat
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 2.5 一个; 我
B
= 0.33 一个 - 1.5 v
Csat
收集器 饱和度 电流 2.5 - 一个
t
f
坠落 时间
con
=2.5 一个; 我
Bon
=0.5 一个 80 150 ns
固定 - sot186a 管脚 配置 符号
管脚 描述
1 底座
2 收集器
3 发射器
案例 隔离
限制 数值
限制 数值 入点 符合 与 这 绝对 最大值 评级 系统 (iec 134)
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1000 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 450 v
c
收集器 电流 (直流) - 5 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 10 一个
B
底座 电流 (直流) - 2 一个
BM
底座 电流 峰值 值 - 4 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
hs
25 ˚c - 32 w
t
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
t
j
接合点 温度 - 150 ˚C
热 电阻
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
th j-hs
接合点 至 散热器 与 散热器 化合物 - 3.95 k/w
th j-a
接合点 至 环境 入点 免费 空气 55 - k/w
123
案例
b
c
e?
8月 1997 1 rev 1.000
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com