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资料编号:185270
 
资料名称:BUT11AF
 
文件大小: 70.95K
   
说明
 
介绍:
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
概述 描述
highvoltage,高-速度 开关 npn 晶体管 入点 一个
金属 信封 ,主要 用于 使用 入点 开关 电源
电路.
快速 参考 数据
限制 数值
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
v
cesm
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0v 1000 v
v
ce?o
集电极-发射极 电压 (打开 底座) 450 v
c
cm
收集器 电流 peak value 10 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
mb
25 40 w
v
ce?s一个t
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 2.5a; 我
B
= 0.5a 1.5 v
cs一个t
收集器 饱和度 电流 f = 16khz 一个
v
f
二极管 前进 电压 v
t
f
坠落 时间
c
=2.5a,我
B1
=-我
B2
=0.5a,v
抄送
=150V 1.0 s
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
v
cesm
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0v 1000 v
v
ce?o
集电极-发射极 电压 (打开 底座) 450 v
v
ebo
发射器-底座 电压(打开 收集器) 5 v
c
B
底座 电流 (直流) 2 一个
Bm
底座 电流 峰值 值 4 一个
p
tot
合计 电源 耗散 Tmb 25 40 w
t
stg
存储 温度 -55 150
t
j
接合点 温度 150
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
ce?
集电极-发射极 截止 电流 v
= 0v; v
ce?
= v
cesmm一个x
1.0 ma
ces
v
= 0v; v
ce?
= v
cesmm一个x
2.0 ma
t
j
= 125
v
ce?osust
集电极-发射极 维持 电压
B
= 0a; 我
c
= 100ma v
l = 25mh
v
ce?s一个t
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 2.5a; 我
B
= 0.5a 1.5 v
v
s一个t
基极-发射极 satuation 电压
c
= 2.5a; 我
B
= 0.5a 1.5 v
h
fe?
直流 电流 增益
c
= 0.5a; v
ce?
= 5v 10 50
v
f
二极管 前进 电压 v
f
t
过渡 频率 在 f = 1mhz
c
= 0.1a; v
ce?
= 10v 5 MHz
c
c
收集器 电容 在 f = 1mhz v
cB
= 10v pf
t
s
开关 次(16khz 线 deflecton 电路)
c
=2.5a,我
B1
=-我
B2
=0.5a,v
抄送
=150V 5.0 s
t
f
关闭 存储 时间 关闭 坠落 时间
c
=2.5a,我
B1
=-我
B2
=0.5a,v
抄送
=150V
1.0 s
电气 特性
至-220f
机翼 shing 计算机 组件 一氧化碳., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
homepage: http://www.wingshing.com e?-邮件: wsccltd@hkstar.com
BUT11AF
硅 扩散 电源 晶体管
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