半导体 组
1 01/oct/1997
buz 100sl-4
初步的 数据
SIPMOS
®
电源 晶体管
• 四方形-频道
• 增强 模式
• 逻辑 水平的
• avalanche-评估
• d
v
/d
t
评估
类型
V
DS
I
D
R
ds(在
)
包装 订货 代号
buz 100sl-4 55 v 7.4 一个 0.023
Ω
p-dso-28 c67078-s. . . .- . .
最大 比率
参数
标识 值 单位
持续的 流 电流
一个 频道 起作用的
T
一个
= 25 °c
I
D
7.4
一个
搏动 流 电流
一个 频道 起作用的
T
一个
= 25 °c
I
Dpuls
29.6
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 7.4 一个,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
Ω
L
= 13.8 mh,
T
j
= 25 °c
E
作
380
mJ
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
= 7.4 一个,
V
DS
= 40 v, d
i
F
/d
t
= 200 一个/µs
T
jmax
= 175 °c
d
v
/d
t
6
kv/µs
门 源 电压
V
GS
±
14
V
电源 消耗
,一个 频道 起作用的
T
一个
= 25 °c
P
tot
2.4
W
运行 温度
T
j
-55 ... + 175 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 175
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 175 / 56
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