飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 byv40e 序列
ultrafast, 坚毅的
特性 标识 快 涉及 数据
• 低 向前 volt 漏出
V
R
= 150 v/ 200 v
• 快 切换
• 软 恢复 典型的
V
F
≤
0.7 v
• 反转 surge 能力
• 高 热的 cycling 效能
I
o(av)
= 1.5 一个
• 低 profile 表面 挂载
包装
I
RRM
= 0.1 一个
t
rr
≤
25 ns
一般 描述 固定 SOT223
双, 一般 cathode, 过激-快,
管脚 描述
外延的 整流器 二极管 将
为 使用 作 输出 整流器 在 高 1 anode 1
频率 切换 模式 电源
供应. 2 cathode
这 BYV40E 序列 是 有提供的 在 3 anode 2
这 SOT223 表面 挂载
包装. tab cathode
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
BYV40E -150 -200
V
RRM
顶峰 repetitive 反转 电压 - 150 200 V
V
RWM
crest working 反转 电压 - 150 200 V
V
R
持续的 反转 电压 T
sp
≤
120˚C - 150 200 V
I
o(av)
平均 调整的 输出 电流 正方形的 波;
δ
= 0.5; - 1.5 一个
(两个都 二极管 组织)
1
T
sp
≤
132˚C
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t = 25
µ
s;
δ
= 0.5; - 1.5 一个
每 二极管 T
sp
≤
132 ˚c
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 t
p
= 10 ms - 6 一个
电流 每 二极管 t
p
= 8.3 ms - 6.6 一个
sinusoidal; t
j
= 150˚c 较早的
至 surge; 和 reapplied
V
rwm(最大值)
I
RRM
repetitive 顶峰 反转 电流 t
p
= 2
µ
s;
δ
= 0.001 - 0.1 一个
每 二极管
I
RSM
非-repetitive 顶峰 反转 t
p
= 100
µ
s - 0.1 一个
电流 每 二极管
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
运行 接合面 温度 - 150 ˚C
k
a1
a2
13
2
4
1
23
1
neglecting 切换 和 反转 电流 losses
九月 1998 1 rev 1.300