初步的
rev. 3.0
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july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
文档 标题
256kx4 位 (和 oe) 高-速 cmos 静态的 内存(5.0v 运行).
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的 至改变 这
规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
tions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
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Remark
初步的
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最终
最终
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
电流 modify
1. delete 15ns 速 bin.
2. 改变 icc 为 工业的 模式.
1. 最终 数据手册 释放.
2. delete ub
,lbreleated 交流 特性 和 定时 图解.
1. delete 12ns 速 bin.
1. 增加 这 含铅的 自由 包装 类型.
Item Previous 电流
I
cc(工业的)
10ns 85mA 75mA
12ns 75mA 65mA
draft 数据
六月. 8. 2001
九月. 9. 2001
12月. 18. 2001
六月. 19. 2002
july. 8. 2002
july. 26, 2004