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资料编号:196153
 
资料名称:2SC2405
 
文件大小: 50.17K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planer type
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2SC2405的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
晶体管
2sc2405, 2sc2406
硅 npn 外延的 planer 类型
为 低-频率 和 低-噪音 放大器
complementary 至 2sa1034 和 2sa1035
特性
低 噪音 电压 nv.
高 foward 电流 转移 比率 h
FE
.
迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 magazine
包装.
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
参数
集电级 至
根基 电压
集电级 至
发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
存储 温度
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
35
55
35
55
5
100
50
200
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
毫安
mW
˚C
˚C
2SC2405
2SC2406
2SC2405
2SC2406
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 至 发射级
电压
发射级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 电压
噪音 电压
标识
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
V
ce(sat)
V
f
T
NV
情况
V
CB
= 10v, i
E
= 0
V
CE
= 10v, i
B
= 0
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CB
= 5v, i
E
= –2ma
I
C
B
V
CE
= 1v, i
C
= 100ma
V
CB
= 5v, i
E
= –2ma, f = 200mhz
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma, g
V
= 80db
R
g
, 函数 = flat
最小值
35
55
35
55
5
180
典型值
0.7
200
110
最大值
100
1
700
0.6
1
单位
nA
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
mV
*
h
FE
分级 分类
分级 R S T
h
FE
180 ~ 360 260 ~ 520 360 ~ 700
2SC2405 SR SS ST
2SC2406 TR TS TT
标记 标识 :
S
(2sc2405)
T
(2sc2406)
单位: mm
1:根基 电子元件工业联合会:to–236
2:发射级 eiaj:sc–59
3:集电级 迷你 类型 包装
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
标记
标识
2SC2405
2SC2406
2SC2405
2SC2406
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