sces201j −april 1999 − 修订 九月 2003
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
有 在 这 德州 器械
NanoStar
和 nanofree
包装
支持 5-v v
CC
运作
输入 接受 电压 至 5.5 v
最大值 t
pd
的 3.8 ns 在 3.3 v
低 电源 消耗量, 10-
µ
一个 最大值 i
CC
±
24-毫安 输出 驱动 在 3.3 v
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
<0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
典型 v
OHV
(输出 v
OH
undershoot)
>2 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
I
止
支持 partial-电源-向下 模式
运作
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每
jesd 78, 类 ii
静电释放 保护 超过 jesd 22
− 2000-v 人-身体 模型 (a114-一个)
− 200-v 机器 模型 (a115-一个)
− 1000-v charged-设备 模型 (c101)
描述/订货 信息
这个 双 2-输入 积极的-或者 门 是 设计 为 1.65-v 至 5.5-v v
CC
运作.
这 sn74lvc2g32 执行 这 boolean 函数
Y
一个
BorY
一个
•
B
在 积极的 逻辑.
订货 信息
T
一个
包装
†
可订购
部分 号码
顶-一侧
标记
‡
NanoStar
− wcsp (dsbga)
0.17-mm 小 bump − yea
SN74LVC2G32YEAR
NanoFree
− wcsp (dsbga)
0.17-mm 小 bump − yza (铅-自由)
卷轴 的 3000
SN74LVC2G32YZAR
_ _ _cg_
−40
°
c 至 85
°
C
NanoStar
− wcsp (dsbga)
0.23-mm 大 bump − yep
卷轴 的 3000
SN74LVC2G32YEPR
_ _ _cg_
−40
°
c 至 85
°
C
NanoFree
− wcsp (dsbga)
0.23-mm 大 bump − yzp (铅-自由)
SN74LVC2G32YZPR
ssop − dct 卷轴 的 3000 SN74LVC2G32DCTR c32_ _ _
vssop − dcu
卷轴 的 3000 SN74LVC2G32DCUR
c32_vssop − dcu
卷轴 的 250 SN74LVC2G32DCUT
c32_
†
包装 绘画, 标准 包装 数量, 热的 数据, 符号化, 和 pcb 设计 指导原则 是 有 在
www.德州仪器.com/sc/包装.
‡
dct: 这 真实的 顶-一侧 标记 有 三 额外的 characters 那 designate 这 年, month, 和 assembly/test site.
dcu: 这 真实的 顶-一侧 标记 有 一个 额外的 character 那 designates 这 组装/测试 站点.
yea/yza,yep/yzp: 这 真实的 顶-一侧 标记 有 三 preceding characters 至 denote 年, month, 和 sequence code,
和 一个 下列的 character 至 designate 这 组装/测试 站点. 管脚 1 identifier indicates 焊盘-bump composition
(1 = snpb,
•
= 铅-自由).
版权
2003, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 avail能力, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
dct 或者 dcu 包装
(顶 视图)
1
2
3
4
8
7
6
5
1A
1B
2Y
地
V
CC
1Y
2B
2A
4
3
2
1
5
6
7
8
地
2Y
1B
1A
2A
2B
1Y
V
CC
yea, yep, yza 或者 yzp 包装
(bottom 视图)
nanostar 和 nanofree 是 商标 的 德州 器械.
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