初步的
Publication#
21445
rev:
B
amendment/
+2
公布 日期:
april 1998
Am29F040B
4 megabit (512 k x 8-位)
cmos 5.0 volt-仅有的, uniform sector flash 记忆
distinctive 特性
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5.0 v
±
10% 为 读 和 写 行动
— 降低 系统 水平的 电源 (所需的)东西
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制造的 在 0.35
µm 处理 技术
— 兼容 和 0.5 µm am29f040 设备
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高 效能
— 进入 时间 作 快 作 55 ns
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低 电源 消耗量
— 20 毫安 典型 起作用的 读 电流
— 30 毫安 典型 程序/擦掉 电流
— 1 µa 典型 备用物品 电流 (标准 进入
时间 至 起作用的 模式)
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有伸缩性的 sector architecture
— 8 uniform sectors 的 64 kbytes 各自
— 任何 结合体 的 sectors 能 是 erased
— 支持 全部 碎片 擦掉
— sector 保护:
一个 硬件 方法 的 locking sectors 至 阻止
任何 程序 或者 擦掉 行动 在里面 那
sector
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embedded algorithms
— embedded 擦掉 algorithm automatically
preprograms 和 erases 这 全部 碎片 或者 任何
结合体 的 designated sectors
— embedded 程序 algorithm automatically
写 和 核实 字节 在 指定 地址
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最小 1,000,000 程序/擦掉 循环 每
sector 有保证的
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Package 选项
— 32-管脚 plcc, tsop, 或者 pdip
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兼容 和 电子元件工业联合会 standards
— 引脚 和 软件 兼容 和
单独的-电源-供应 flash 标准
— 更好的 inadvertent 写 保护
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data# polling 和 toggle 位
— 提供 一个 软件 方法 的 detecting
程序 或者 擦掉 循环 completion
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擦掉 suspend/擦掉 重新开始
— suspends 一个 sector 擦掉 运作 至 读 数据
从, 或者 程序 数据 至, 一个 非-erasing sector,
然后 重新开始 这 擦掉 运作
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