mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd70f3015b, 70f3015by, 70f3017a, 70f3017ay
v850/sa1
TM
32-位 单独的-碎片 微控制器
文档 非. u14527ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 july 2001 n cp(k)
打印 在 日本
数据 薄板
©
2000
这 mark
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不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
描述
这
µ
pd70f3015b, 70f3015by, 70f3017a, 和 70f3017ay 是 产品 和 在-碎片 flash memory. 因为
这 设备 能 是 编写程序 用 这 用户 在-板, 它们 是 完美的 为 这 evaluation stages 的 系统
开发, 小-规模 生产 的 一个 多样性 的 产品, 和 迅速 开发 的 新 产品.
这 v850/sa1 提供 一个 高-水平的 费用 效能 完美的 为 产品 ranging 从 低-电源 camcorders
和 其它 av 设备 至 可携带的 电话 设备 此类 作 cellular phones 和 个人的 handyphone
系统 (phs).
详细地 函数 描述 是 提供 在 这 下列的 用户's manuals. 是 确信 至 读 它们 在之前
designing.
v850/sa1 用户's 手工的 硬件: U12768E
v850 家族
TM
用户's 手工的 architecture: U10243E
特性
{
号码 的 说明: 74
{
最小 操作指南 执行 时间:
58.8 ns (@ 17 mhz 运作 和 主要的 系统
时钟 (f
XX
))
50 ns (@ 20 mhz 运作 和 主要的 系统
时钟 (f
XX
))
30.5
µ
s (@ 32.768 khz 运作 和 subsystem
时钟 (f
XT
))
{
一般-目的 寄存器: 32 位
×
32 寄存器
{
操作指南 设置:
signed multiplication, 饱和 行动, 32-位
变换 说明, 位 manipulation 说明,
加载/store 说明
{
记忆 空间:
16 mb 直线的 地址 空间
记忆 块 分隔 函数: 2 mb 每 块
{
内部的 记忆
•
flash 记忆
128 kb (
µ
pd70f3015b, 70f3015by)
256 kb (
µ
pd70f3017a, 70f3017ay)
•
内存
4 kb (
µ
pd70f3015b, 70f3015by)
8 kb (
µ
pd70f3017a, 70f3017ay)
{
外部 总线 接口: 16-位 数据 总线
地址 总线: 独立的 输出 使能
{
中断 和 exceptions
外部: 8, 内部的: 23, exceptions: 1
{
i/o 线条 总的: 85
{
计时器/counters
16-位 计时器: 2 途径
8-位 计时器: 4 途径
{
watch 计时器: 1 频道
{
看门狗 计时器: 1 频道
{
串行 接口 (sio)
异步的 串行 接口 (uart)
clocked 串行 接口 (csi)
I
2
c 总线 接口 (
µ
pd70f3015by, 70f3017ay)
{
一个/d 转换器: 12 途径
{
dma 控制: 3 途径
{
rtp: 8 位
×
1 频道 或者 4 位
×
2 途径
{
电源-节省 功能: halt/空闲/停止 模式
{
包装: 100-管脚 塑料 lqfp (14
×
14 mm)
121-管脚 塑料 fbga (12
×
12 mm)
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