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资料编号:216745
 
资料名称:BC848CDW1T1
 
文件大小: 106.43K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistors
 
 


: 点此下载
 
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半导体 组件 industries, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bc846bdw1t1/d
bc846bdw1t1,
bc847bdw1t1,
BC848CDW1T1
双 一般 目的
晶体管
npn duals
这些 晶体管 是 设计 为 一般 目的 放大器
产品. 它们 是 housed 在 这 sot−363/sc−88 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
设备 标记:
bc846bdw1t1 = 1b
bc847bdw1t1 = 1f
bc848cdw1t1 = 1l
特性
pb−free 包装 是 有
最大 比率
比率 标识 BC846 BC847 BC848 单位
集电级发射级 电压 V
CEO
65 45 30 V
集电级根基 电压 V
CBO
80 50 30 V
发射级根基 电压 V
EBO
6.0 6.0 5.0 V
集电级 电流 −
持续的
I
C
100 100 100 mAdc
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
每 设备
FR−5 板 (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
380
250
3.0
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
328
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
55 至 +150
°
C
1. fr−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在
设备 包装 Shipping
订货 信息
BC846BDW1T1 SOT−363
SOT−363
情况 419b
样式 1
3000 单位/卷轴
图解
标记
BC847BDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
1xm
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
Q
2
1
6
BC848CDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
1x = 明确的 设备 代号
x = b, f, l
m = 日期 代号
http://onsemi.com
BC847BDW1T1G SOT−363
(pb−free)
3000 单位/卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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