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资料编号:220896
 
资料名称:CHA7010
 
文件大小: 161.47K
   
说明
 
介绍:
X-band GaInP HBT High Power Amplifier
 
 


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CHA7010
ref. : dscha70102175 -24-六月-02 1/7 规格 主题 至 改变 没有 注意
联合的 大而单一的 半导体 s.一个.s.
route départementale 128 - b.p.46 - 91401 orsay cedex 法国
电话. : +33 (0)1 69 33 03 08 - 传真 : +33 (0)1 69 33 03 09
x-带宽 gainp hbt 高 power 放大器
gaas 大而单一的 微波 ic
描述
CHA7010
是 一个 大而单一的 二 平台
gaas 高 电源 放大器 设计 为 x
带宽 产品.
hbt 处理, 包含, 通过 孔 通过
这 基质 和 空气 bridges. 一个 渗氮
layer 保护 这 晶体管 和 这
被动的 组件. 特定的 热温 除去
技巧 是 执行 至 保证
高 可靠性.
至 使简化 这 组装 处理;
这 backside 的 这 碎片 是 两个都 rf 和
直流 grounded
bond 焊盘 和 后面的 一侧 是 金
镀有 为 兼容性 和 eutectic 消逝
连结 方法 和 thermo-sonic 或者
thermo-压缩 使牢固结合 处理.
主要的 特性

10W输出 电源

高 增益 : > 18db @ 10ghz

高 pae : > 35% @ 10ghz

在-碎片 偏差 控制

直线的 集电级 电流 控制

高 阻抗 接口 为 脉冲波
模式

温度 补偿

碎片 大小: 4.74 x 4.36 x 0.1 mm
Vctr
Vc
Vctr
Vc
Vctr
Vc
Vctr Vc
inter-平台
输入
相一致
网络
输出
Combiner
主要的 特性
tamb = +25°c
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
f_运算 运行 频率 范围 8.4 9.4 10.4 GHz
p_sat saturated 输出 电源 10 W
p_1dbc 输出 电源 @ 1dbc 8 W
g_lin 直线的 增益 18 dB
静电释放 protections : 静电的 释放 敏感的 设备 注意到 处理 预防措施 !
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