CHA2190
ref : dscha21902036 -05-二月.-02- 1/9 规格 主题 至 改变 没有 注意
联合的 大而单一的 半导体 s.一个.s.
route départementale 128 - b.p.46 - 91401 orsay cedex 法国
电话. : +33 (0)1 69 33 03 08 - 传真 : +33 (0)1 69 33 03 09
20-30ghz 低 噪音 放大器
自 片面的
gaas 大而单一的 微波 ic
描述
这 电路 是 一个 二-stages 自 片面的 宽
带宽 大而单一的 低 噪音 放大器.
这 电路 是 制造的 和 一个 标准
hemt 处理 : 0.25µm 门 长度, 通过
孔 通过 这 基质, 空气 bridges 和
electron beam 门 lithography.
它 是 有提供的 在 碎片 表格.
主要的 特性
broad 带宽 效能 20-30ghz
2.2db 噪音 图示
15db 增益,
±
0.5db 增益 flatness
低 直流 电源 消耗量, 50ma
20dbm 3rd 顺序 intercept 要点
碎片 大小 : 1.670 x 1.03x 0.1mm
主要的 特性
在 薄脆饼 典型
度量
tamb = +25°c
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
NF 噪音 图示 在 freq : 40ghz 2.2 3 dB
g 增益 13 15 dB
∆
G
增益 flatness
±
.0.5
±
1
dB
静电释放 protections : 静电的 释放 敏感的 设备 注意到 处理 预防措施 !
-26
-22
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
18
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
频率 ( ghz )
dbsij &放大; nf ( db )
dBS11 dBS21 dBS22 NF
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