CHA2069
ref. :DSCHA20699273- 8-sep-99 1/
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规格 主题 至 改变 没有 注意
联合的 大而单一的 半导体 s.一个.s.
route départementale 128 - b.p.46 - 91401 orsay cedex 法国
电话. : +33 (0)1 69 33 03 08 - 传真 : +33 (0)1 69 33 03 09
18-31ghz 低 噪音 放大器
gaas 大而单一的 微波 ic
描述
这 电路 是 一个 三-平台 自 片面的
宽 带宽 大而单一的 低 噪音 放大器.
这 电路 是 制造的 和 一个 标准
hemt 处理 : 0.25µm 门 长度, 通过
孔 通过 这 基质, 空气 bridges
和 electron beam 门 lithography.
它 是 有提供的 在 碎片 表格.
主要的 特性
broad 带宽 效能 18-31ghz
2.5db 噪音 图示
22db 增益,
±
1db 增益 flatness
低 直流 电源 消耗量, 55ma
20dbm 3rd 顺序 intercept 要点
碎片 大小 : 2,170 x 1,270x 0.1mm
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34
频率 ( ghz )
在 薄脆饼 典型 度量.
主要的 特性
tamb = +25°c
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
NF 噪音 图示,18-31ghz 2.5 3.5 dB
G 增益 18 22 dB
∆
G
增益 flatness
±
1
±
1.5
dB
静电释放 protections : 静电的 释放 敏感的 设备 注意到 处理 预防措施 !
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