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hitachi’s 销售 dept. 关于 规格.
hm624100hc 序列
4m 高 速 sram (1-mword
×
4-位)
ade-203-1198 (z)
初步的
rev. 0.0
十一月 30, 2000
描述
这 hm624100hc 是 一个 4-mbit 高 速 静态的 内存 有组织的 1-mword
×
4-位. 它 有 认识到 高 速
进入 时间 用 employing cmos 处理 (6-晶体管 记忆 cell) 和 高 速 电路 designing
技术. 它 是 大多数 适合的 为 这 应用 这个 需要 高 速 和 高 密度 记忆,
此类 作 cache 和 缓存区 记忆 在 系统. 这 hm624100hc 是 packaged 在 400-mil 32-管脚 soj 为 高
密度 表面 挂载.
特性
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单独的 5.0 v 供应 : 5.0 v ± 10 %
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进入 时间 10 ns (最大值)
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完全地 静态的 记忆
非 时钟 或者 定时 strobe 必需的
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equal 进入 和 循环 时间
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直接地 ttl 兼容
所有 输入 和 输出
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运行 电流 : 140 毫安 (最大值)
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ttl 备用物品 电流 : 40 毫安 (最大值)
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cmos 备用物品 ccurrent : 5 毫安 (最大值)
: 1.2 毫安 (最大值) (l-版本)
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数据 retension 电流 : 0.8 毫安 (最大值) (l-版本)
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数据 retension 电压 : 2.0 v (最小值) (l-版本)
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中心 v
CC
和 v
SS
类型 引脚