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资料编号:233704
 
资料名称:CSC2120Y
 
文件大小: 87.9K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
npn 硅 外延的 晶体管 CSC2120
至-92
BCE
音频的 电源 放大器 产品.
绝对 最大 比率(ta=25deg c 除非 否则 指定 )
描述 标识 单位
集电级 -根基 电压
VCBO 35 V
集电级 -发射级 电压
VCEO 30 V
发射级 根基 电压
VEBO 5.0 V
集电级 电流 持续的
IC 800 毫安
发射级 电流
IE 800 毫安
集电级 电源 消耗
PC 600 mW
运行 和 存储 接合面
tj, tstg -55 至 +150 deg c
温度 范围
电的 特性 (ta=25 deg c 除非 否则 指定)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截 止 电流
ICBO vcb=35v, ie=0 - - 100 nA
发射级 截 止 电流
IEBO veb=5v, ic=0 - - 100 nA
集电级 -发射级 电压
VCEO ic=10ma, ib=0 30 - - V
直流 电流 增益
hfe*(1) ic=100ma, vce=1v 100 - 320
hfe*(2) ic=700ma, vce=1v 35 - -
集电级 发射级 饱和 电压
vce(sat) * ic=500ma, ib=20ma - - 0.5 V
根基 发射级 电压
vbe(在) ic=10ma, vce=1v 0.5 - 0.8 V
动态 特性
集电级 输出 电容
Cob vcb=10v, ie=0, - 13 - pF
f=1MHz
转变 频率
ft vce=5v,ic=10ma, - 120 - MHz
*(1)hfe 分类 0 : 100 - 200, y : 160 - 320,
*pulse 测试 : 脉冲波 宽度 =300us, 职责 循环=2%
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
页 1 的 3
一个 iso/ts16949 和 iso 9001 certified 公司
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