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资料编号:233708
 
资料名称:CSC2002M
 
文件大小: 145.31K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
npn 硅 planar 外延的 晶体管 CSC2002
至-92
塑料 包装
设计 为 使用 在 驱动器 平台 的 高 电压 音频的 equipments.
绝对 最大 比率 (t
一个
=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识
集电级 发射级 电压
V
CEO
集电级 根基 电压
V
CBO
发射级 根基 电压
V
EBO
集电级 电流
I
C
根基 电流
I
B
P
C
存储 温度
T
stg
- 55 至 +150
接合面 温度
T
j
绝对 最大 比率 (t
一个
=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截 止 电流
I
CBO
V
CB
=60v, i
E
= 0
100nA
发射级 截 止 电流
I
EBO
V
EB
=5v, i
C
= 0
100nA
直流 电流 增益
h
FE
(1)
*
V
CE
=1v, i
C
=50mA
90 400
V
CE
=2v, i
C
=300mA
30
集电级 发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
* I
C
=300ma, i
B
=30mA
0.6 V
根基 发射级 饱和 电压
V
是 (sat)
* I
C
=300ma, i
B
=30mA
1.2 V
根基 发射级 电压
V
是 *
V
CE
=6v, i
C
=10mA
0.6 0.7 V
转变 频率
f
T
V
CE
=6v, i
C
= -10ma,
50 MHz
集电级 至 根基 电容
C
ob
I
E
=0, v
CB
=6v, f=1mhz
15 pF
* 搏动 pw<350
µµ
s, 职责 循环<2%
h
FE
(1)
分类
m : 90 - 180,
毫安
毫安
mW
ºC
单位
V
V
V
60
60
5
300
60
600
ºC+150
l : 135 - 270, k : 200 - 400
continental 设备 印度 限制
数据 薄板 页 1 的 3
continental 设备 印度 限制
一个 iso/ts16949 和 iso 9001 certified 公司
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