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资料编号:233709
 
资料名称:CSC388ATM
 
文件大小: 162.42K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
npn 硅 planar 外延的 晶体管 CSC388ATM
至 - 92
塑料 包装
tv 最终 picture 如果 放大器 产品
绝对 最大 比率 (ta=25ºc )
描述 标识 单位
集电级 根基 电压
V
CBO
30 V
集电级 发射级 电压
V
CEO
25 V
发射级 根基 电压
V
EBO
4V
集电级 电流
I
C
50 毫安
发射级 电流
I
E
- 50 毫安
集电级 电源 消耗
P
C
300 mW
运行 和 存储 接合面
T
j
, t
stg
-55 至 +125 ºC
温度 范围
电的 特性 (ta=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截 止 电流
I
CBO
V
CB
=30v, i
E
= 0
- - 100 nA
发射级 截 止 电流
I
EBO
V
EB
=3, i
C
=0
- - 1.0
µ
一个
集电级 发射级 电压
V
CEO
I
C
=10ma, i
B
=0
25--v
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
=12.5v, i
C
=12.5ma
20 - 200
集电级 发射级 饱和
V
ce(sat)
I
C
=15ma, i
B
=1.5ma
- - 0.2 V
电压
根基 发射级 饱和 电压
V
是(sat)
I
C
=15ma, i
B
=1.5ma
- - 1.5 V
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=10v, i
E
=0,f=1mhz
0.8 - 2.0 pF
集电级- 根基 时间 常量
C
c
.rbb' V
CB
=10v, i
E
= - 1ma
--25ps
f=30MHz
转变 频率
f
T
V
CE
=12.5v, i
C
=12.5ma
300 - - MHz
电源 增益
G
pe
V
CC
=12.5v, i
E
= - 12.5ma
28 - 36 dB
f=45MHz
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
页 1 的 3
continental 设备 印度 限制
一个 iso/ts16949 和 iso 9001 certified 公司
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