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continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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硅 planar 外延的 晶体管
n-p-n 晶体管
绝对 最大 比率
集电级-根基 电压 (打开 发射级) V
CBO
最大值 60 V
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
最大值 50 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 5 V
集电级 电流 (顶峰 值) I
C
最大值 150 毫安
总的 电源 消耗 在 t
amb
= 25°c P
tot
最大值 150 mW
接合面 温度 T
j
最大值 150 ° C
d.c. 电流 增益
–I
C
= 2 毫安; –v
CE
= 6v h
FE
最小值 70
最大值 700
转变 频率
I
C
= 1 毫安; v
CE
= 10 v f
T
最小值 80 MHz
噪音 图示 在 r
S
= 10 k
W
I
C
= 0.1 毫安; v
CE
= 6v;
f = 1 khz F 最大值 10 dB
CSC2712
包装 外形 详细信息
所有 维度 在 mm
管脚 配置
1 = 根基
2 = 发射级
3 = 集电级
标记
CSC2712Y=1E
csc2712gr(g)=1f
csc2712bl(l)=1g
是 / iecqc 700000
是 / iec
Qc 750100
是/iso 9002
Lic#
Qsc/l- 000019.2
continental 设备 印度 限制
一个 是/iso 9002 和 iecq certified 生产者
sot-23 formed smd 包装

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continental 设备印度限制数据薄板页 1 的 3 硅 planar 外延的晶体管 n-p-n 晶体管绝对最大比率集电级-根基电压 (打开发射级) V CBO 最大值 60 V 集电级-发射级电压 (打开根基) V CEO 最大值 50 V 发射级-根基电压 (打开集电级) V EBO 最大值 5 V 集电级电流 (顶峰值) I C 最大值 150 毫安总的电源消耗在 t amb = 25°c P tot 最大值 150 mW 接合面温度 T j 最大值 150 ° C d.c. 电流增益 –I C = 2 毫安; –v CE = 6v h FE 最小值 70 最大值 700 转变频率 I C = 1 毫安; v CE = 10 v f T 最小值 80 MHz 噪音图示在 r S = 10 k W I C = 0.1 毫安; v CE = 6v; f = 1 khz F 最大值 10 dB CSC2712 包装外形详细信息所有维度在 mm 管脚配置 1 = 根基 2 = 发射级 3 = 集电级标记 CSC2712Y=1E csc2712gr(g)=1f csc2712bl(l)=1g 是 / iecqc 700000 是 / iec Qc 750100 是/iso 9002 Lic# Qsc/l- 000019.2 continental 设备印度限制一个是/iso 9002 和 iecq certified 生产者 sot-23 formed smd 包装

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