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资料编号:233725
 
资料名称:CSC2383
 
文件大小: 41.59K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN COMPLEMENTARY PLANAR SILICON TRANSISTORS
 
 


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浏览型号CSC2383的Datasheet PDF文件第2页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
continental 设备 印度 限制
一个 是/iso 9002 和 iecq certified 生产者
pnp/npn complementary planar 硅 晶体管 csa1013 (pnp)
csc2383 (npn)
至-237
BCE
vertical deflection 输出put &放大; 类 b 声音 输出放 产品 的 colour t.v
绝对 最大 比率(ta=25deg c 除非 否则 指定 )
描述 标识 单位
集电级 -根基 电压
VCBO 160 V
集电级 -发射级 电压
VCEO 160 V
发射级 根基 电压
VEBO 6.0 V
集电级 电流
IC 1.0 一个
根基 电流
IB 500 毫安
集电级 电源 消耗
PC 900 mW
运行 和 存储 接合面
tj, tstg -55 至 +150 deg c
温度 范围
电的 特性 (ta=25 deg c 除非 否则 指定)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 -发射级 电压
VCEO ic=10ma, ib=0 160 - - V
集电级 截 止 电流
ICBO vcb=150v, ie=0 - - 1.0 uA
发射级 截 止 电流
IEBO veb=6v, ic=0 - - 1.0 uA
直流 电流 增益
hFE* ic=200ma,vce=5v 60 - 320
集电级 发射级 饱和 电压
vce(sat) * ic=500ma,ib=50ma - - 1.5 V
根基 发射级 在 电压
vbe(在)* ic=5ma, vce=5v 0.45 - 0.75 V
动态 特性
输出 电容
cob npn vcb=10v, ie=0, - - 20 pF
f=1MHz
增益 带宽 产品
ft npn vce=5v,ic=200ma, 20 100 - MHz
PNP 15 50 - MHz
分类 R O Y
hfe * 60-120 100-200 160-320
*pulse 测试 : 脉冲波 宽度 =300us, 职责 循环=2%
是 / iecqc 700000
是 / iecqc 750100
是/iso 9002
lic# qsc/l- 000019.2
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
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