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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
一般 目的 晶体管
npn 硅
这些transistors 一个re designed f或者general purpose 一个mplifier
产品.They 一个re housed in the sot–323/sc–70 which is
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
最大 比率
比率 标识 BC846 BC847 BC848 单位
集电级–发射级 电压 V
CEO
65 45 30 V
集电级–根基 电压 V
CBO
80 50 30 V
发射级–根基 电压 V
EBO
6.0 6.0 5.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 100 100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板, (1)
T
一个
= 25
°
C
P
D
150 mW
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
833
°
c/w
总的 设备 消耗 P
D
2.4 mw/
°
C
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
bc846awt1 = 1a; bc846bwt1 = 1b; bc847awt1 = 1e; bc847bwt1 = 1f;
bc847cwt1 = 1g; bc848awt1 = 1j; bc848bwt1 = 1k; bc848cwt1 = 1l
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级–发射级 损坏 电压 bc846 序列
(i
C
= 10 毫安) bc847 序列
bc848 序列
V
(br)ceo
65
45
30
—
—
—
—
—
—
V
集电级–发射级 损坏 电压 bc846 序列
(i
C
= 10
µ
一个, v
EB
= 0) bc847 序列
bc848 序列
V
(br)ces
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
集电级–根基 损坏 电压 bc846 序列
(i
C
= 10
m
一个) bc847 序列
bc848 序列
V
(br)cbo
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
发射级–根基 损坏 电压 bc846 序列
(i
E
= 1.0
m
一个) bc847 序列
bc848 序列
V
(br)ebo
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
V
集电级 截止 电流 (v
CB
= 30 v)
(v
CB
= 30 v, t
一个
= 150
°
c)
I
CBO
—
—
—
—
15
5.0
nA
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
顺序 这个 文档
用 bc846awt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
bc846awt1,bwt1
bc847awt1,bwt1,
CWT1
bc848awt1,bwt1,
CWT1
情况 419–02, 样式 3
sot–323/sc–70
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级
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