CZT5338_集成电路资料查询网

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CentralCentral
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中央
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.
tm
sot-223 案例
CZT5338
npn 硅
电源 晶体管
描述:
这 中央 半导体 czt5338
类型 是 一个 npn 硅 电源 晶体管
已制造 由 这 外延 平面 流程,
环氧树脂 模制 入点 一个 表面 安装 包装,
设计 用于 应用程序 要求 极其
高 电流 放大 和 开关
能力.
最大值 额定值
(t
一个
=25
o
c)
符号 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
100 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
100 v
发射器-底座 电压 v
EBO
6.0 v
收集器 电流 我
c
5.0 一个
底座 电流 我
B
1.0 一个
电源 耗散 p
d
2.0 w
操作 和 存储
接合点 温度 t
j
,t
stg
-65 至 +150 
o
c
热 电阻
Θ
ja
62.5 
o
c/w
电气 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明)
符号 测试一下 条件 最小 最大值 单位
我
CBO
v
cb
=100V 10
µ
一个
我
EBO
v
是
=6.0v 100
µ
一个
我
CEO
v
ce
=90V 100
µ
一个
BV
CEO
我
c
=50mA 100 v
v
ce(sat)
我
c
=2.0a, 我
B
=200mA 0.7 v
v
ce(sat)
我
c
=5.0a, 我
B
=500mA 1.2 v
v
是(sat)
我
c
=2.0a, 我
B
=200mA 1.2 v
v
是(sat)
我
c
=5.0a, 我
B
=500mA 1.8 v
h
铁
v
ce
=2.0v, 我
c
=500mA 30
h
铁
v
ce
=2.0v, 我
c
=2.0a 30 120
h
铁
v
ce
=2.0v, 我
c
=5.0a 20
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312 CentralCentral CentralCentral 中央半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp. tm sot-223 案例 CZT5338 npn 硅电源晶体管描述: 这中央半导体 czt5338 类型是一个 npn 硅电源晶体管已制造由这外延平面流程, 环氧树脂模制入点一个表面安装包装, 设计用于应用程序要求极其高电流放大和开关能力. 最大值额定值 (t 一个 =25 o c) 符号单位收集器-底座电压 v CBO 100 v 集电极-发射极电压 v CEO 100 v 发射器-底座电压 v EBO 6.0 v 收集器电流我 c 5.0 一个底座电流我 B 1.0 一个电源耗散 p d 2.0 w 操作和存储接合点温度 t j ,t stg -65 至 +150 o c 热电阻 Θ ja 62.5 o c/w 电气特性 (t 一个 =25 o c 除非否则已注明) 符号测试一下条件最小最大值单位我 CBO v cb =100V 10 µ 一个我 EBO v 是 =6.0v 100 µ 一个我 CEO v ce =90V 100 µ 一个 BV CEO 我 c =50mA 100 v v ce(sat) 我 c =2.0a, 我 B =200mA 0.7 v v ce(sat) 我 c =5.0a, 我 B =500mA 1.2 v v 是(sat) 我 c =2.0a, 我 B =200mA 1.2 v v 是(sat) 我 c =5.0a, 我 B =500mA 1.8 v h 铁 v ce =2.0v, 我 c =500mA 30 h 铁 v ce =2.0v, 我 c =2.0a 30 120 h 铁 v ce =2.0v, 我 c =5.0a 20 tm  

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