CZT5551_集成电路资料查询网

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CentralCentral
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中央
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.
tm
CZT5551
npn 硅 晶体管
sot-223 案例
描述:
这 中央 半导体 czt5551
类型 是 一个 npn 硅 晶体管 已制造
由 这 外延 平面 流程, 环氧树脂 模制
入点 一个 表面 安装 包装, 设计 用于 高
电压 放大器 应用程序.
最大值 额定值
(t
一个
=25
o
c)
符号 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
180 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
160 v
发射器-底座 电压 v
EBO
6.0 v
收集器 电流 我
c
600 ma
电源 耗散 p
d
2.0 w
操作 和 存储
接合点 温度 t
j
,t
stg
-65 至 +150 
o
c
热 电阻 
Θ
ja
62.5 
o
c/w
电气 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明)
符号 测试一下 条件 最小 最大值            单位
我
CBO
v
cb
=120V 50 不适用
我
CBO
v
cb
=120v, t
一个
=100
o
c 50 
µ
一个
我
EBO
v
eb
=4.0v 50 不适用
BV
CBO
我
c
=100
µ
一个 180 v
BV
CEO
我
c
=1.0ma 160 v
BV
EBO
我
e?
=10
µ
一个 6.0 v
v
ce(sat)
我
c
=10ma, 我
B
=1.0ma 0.15 v
v
ce(sat)
我
c
=50ma, 我
B
=5.0ma 0.20 v
v
是(sat)
我
c
=10ma, 我
B
=1.0ma 1.00 v
v
是(sat)
我
c
=50ma, 我
B
=5.0ma 1.00 v
h
铁
v
ce
=5.0v, 我
c
=1.0ma 80
h
铁
v
ce
=5.0v, 我
c
=10mA 80 250
h
铁
v
ce
=5.0v, 我
c
=50mA 30

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316 CentralCentral CentralCentral 中央半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp.半导体 corp. 半导体 corp. tm CZT5551 npn 硅晶体管 sot-223 案例描述: 这中央半导体 czt5551 类型是一个 npn 硅晶体管已制造由这外延平面流程, 环氧树脂模制入点一个表面安装包装, 设计用于高电压放大器应用程序. 最大值额定值 (t 一个 =25 o c) 符号单位收集器-底座电压 v CBO 180 v 集电极-发射极电压 v CEO 160 v 发射器-底座电压 v EBO 6.0 v 收集器电流我 c 600 ma 电源耗散 p d 2.0 w 操作和存储接合点温度 t j ,t stg -65 至 +150 o c 热电阻 Θ ja 62.5 o c/w 电气特性 (t 一个 =25 o c 除非否则已注明) 符号测试一下条件最小最大值单位我 CBO v cb =120V 50 不适用我 CBO v cb =120v, t 一个 =100 o c 50 µ 一个我 EBO v eb =4.0v 50 不适用 BV CBO 我 c =100 µ 一个 180 v BV CEO 我 c =1.0ma 160 v BV EBO 我 e? =10 µ 一个 6.0 v v ce(sat) 我 c =10ma, 我 B =1.0ma 0.15 v v ce(sat) 我 c =50ma, 我 B =5.0ma 0.20 v v 是(sat) 我 c =10ma, 我 B =1.0ma 1.00 v v 是(sat) 我 c =50ma, 我 B =5.0ma 1.00 v h 铁 v ce =5.0v, 我 c =1.0ma 80 h 铁 v ce =5.0v, 我 c =10mA 80 250 h 铁 v ce =5.0v, 我 c =50mA 30

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