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DIM Millimetres tol. 英寸 tol.
一个 19.05 0.50 0.75 0.020
B 10.77 0.13 0.424 0.005
C 45° 5° 45° 5°
D 9.78 0.13 0.385 0.005
E 5.71 0.13 0.225 0.005
F 27.94 0.13 1.100 0.005
G 1.52r 0.13 0.060r 0.005
H 10.16 0.13 0.400 0.005
I 22.22 最大值 0.875 最大值
J 0.13 0.02 0.005 0.001
K 2.72 0.13 0.107 0.005
M 1.70 0.13 0.067 0.005
N 5.08 0.50 0.200 0.020
O 34.03 0.13 1.340 0.005
P 1.57r 0.08 0.062r 0.003
P
D
电源 消耗
BV
DSS
流 – 源 损坏 电压 *
BV
GSS
门 – 源 损坏 电压 *
I
d(sat)
流 电流 *
T
stg
存储 温度
T
j
最大 运行 接合面 温度
389W
70V
±20V
20A
–65 至 150°c
200°C
机械的 数据
M
KJ
I
在
一个
C
(2pls)
D
F
E
(4 pls)
B
G
(典型值)
P
(2pls)
1
5
4
32
H
金 metallised
multi-目的 硅
dmos rf 场效应晶体管
150w – 28v – 400mhz
PUSH–PULL
特性
• extra 低 c
rss
• simplified 放大器 设计
• 合适的 为 broad 带宽 产品
• 简单的 偏差 电路
• 低 噪音
• 高 增益 – 10 db 最小
DR
管脚 1 源 (一般) 管脚 2 流 1
管脚 3 流 2 管脚 4 门 2
管脚 5 门 1
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25
°
c 除非 否则 陈述)
产品
•
hf/vhf/uhf communications
从 1 mhz 至 400 mhz
metal 门 rf 硅 场效应晶体管
TetraFET
* 每 一侧