半导体 组件 industries, llc, 2004
april, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
dap222/d
dap222, dap202u
preferred 设备
一般 anode 硅
双 切换 二极管
这些 一般 anode 硅 外延的 planar 双 二极管 是
设计 为 使用 在 过激 高 速 切换 产品. 这
dap222 设备 是 housed 在 这 sc−75/sot−416 包装 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品, 在哪里 板
空间 是 在 一个 premium. 这 dap202u 设备 是 housed 在 这
sc−70/sot−323 包装.
特性
•
快 t
rr
•
低 c
D
•
有 在 8 mm 录音带 和 卷轴
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
80 Vdc
顶峰 反转 电压 V
RM
80 Vdc
向前 电流 I
F
100 mAdc
顶峰 向前 电流 I
FM
300 mAdc
顶峰 向前 surge 电流
I
FSM
(1)
2.0 模数转换器
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
比率 标识 最大值 单位
电源 消耗 P
D
150 mW
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 T
stg
−55 ~ + 150
°
C
http://onsemi.com
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
DAP222 SC−75 3000/录音带 &放大; 卷轴
DAP202U SC−70
3000/录音带 &放大; 卷轴
SC−75
情况 463
样式 3
标记
图解
P9
1
2
3
1
2
3
NB
SC−70
情况 419
DAP222T1 SC−75 3000/录音带 &放大; 卷轴
DAP222T1G SC−75
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
ANODE
3
12
CATHODE
: 点此下载
