98820 (04/01)
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dsp 8
预付款 技术类 信息
v
RSM
v
rrm
类型
v v
900 800 dsp 8-08ac
1300 1200 dsp 8-12ac
符号 测试一下 条件 最大值 额定值
我
FRMS
t
vj
= t
VJM
30 一个
我
f(av)m
t
案例
= 100
°
c; 180
°
正弦 2 x 11 一个
我
FSM
t
vj
= 45
°
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 100 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 105 一个
t
vj
= 150
°
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 85 一个
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 90 一个
我
2
t
t
vj
= 45
°
c t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 50 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 45 一个
2
s
t
vj
= 150
°
c; t = 10 ms (50 赫兹), 正弦 35 一个
2
s
t = 8.3 ms (60 赫兹), 正弦 30 一个
2
s
t
vj
-40...+150
°
c
t
VJM
150
°
c
t
stg
-55...+150
°
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点) 从 案例 用于 10 s 260
°
c
v
isol
50/60 赫兹 rms; 我
isol
≤
1 ma 2500 V~
f
c
安装 力 11...65 / 2.5..15 n/磅
重量
2g
符号 测试一下 条件 特性 数值
我
右
v
右
= v
rrm;
t
vj
= 25
°
c
≤
10
µ
一个
t
vj
= 150
°
c
≤
0.7 ma
v
f
我
f
= 10 一个; t
vj
= 25
°
c
≤
1.22 v
t
vj
= 125
°
c
≤
1.26 v
v
T0
用于 电源-损失 计算 仅 0.8 v
右
t
t
vj
= t
VJM
41 m
Ω
右
thjc
直流 电流 1.8 k/w
右
thCK
直流 电流 (与 散热器 化合物) 典型值 0.6 k/w
一个
最大值 允许 加速度 100 m/s
2
v
rrm
= 800/1200 v
我
f(av)m
=2 x 11 一个
相位-支腿 整流器 二极管
ISOPLUS220
tm
电气 隔离 背面 表面
isoplus220 大纲
1 23
特点
硅 芯片 开启 直接-铜-债券
基材
- 高 电源 耗散
- 隔离 安装 表面
- 2500v 电气 隔离
用于 单独 和 三个 相位 桥梁
配置
低 阴极 至 选项卡 电容 (&指示灯;15pf)
平面 钝化 芯片
环氧树脂 满足 ul 94v-0
备注: 数据 给定 用于 t
vj
= 25
o
c 和 按 二极管 除非 否则 指定
脉冲 测试一下: 脉冲 宽度 = 5 ms, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
脉冲 测试一下: 脉冲 宽度 = 300
µ
s, 职责 循环 &指示灯; 2.0 %
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸.
* 专利 待定
ISOPLUS220
tm
3
2
隔离 背面 表面 *
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