半导体 组件 industries, llc, 2005
january, 2005 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
dtc114eet1/d
dtc114eet1 序列
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的
设备 和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络
consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 base−emitter
电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少
两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这
sc−75/sot−416 包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面
挂载 产品.
特性
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc−75/sot−416 包装 能 是 焊接 使用 波 或者
软熔焊接
•
这 修改 gull−winged leads absorb 热的 压力 在
焊接 eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝
•
有 在 8 mm, 7 inch/3000 单位 录音带 &放大; 卷轴
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
热的 特性
比率 标识 值 单位
总的 设备 消耗,
fr−4 板 (便条 1) @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
200
1.6
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
junction−to−ambient (便条 1)
R
JA
600
°
c/w
总的 设备 消耗,
fr−4 板 (便条 2) @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
junction−to−ambient (便条 2)
R
JA
400
°
c/w
接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
1. fr−4 @ 最小 垫子
2. fr−4 @ 1.0
×
1.0 inch 垫子
npn 硅
偏差 电阻 晶体管
sc−75/sot−416
情况 463
样式 1
3
2
1
管脚 3
集电级
(输出)
管脚 2
发射级
(地面)
管脚 1
根基
(输入)
R1
R2
xx = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
标记
图解
xx m
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这 包装 维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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