半导体 组件 industries, llc, 2000
将, 2000 – rev. 0
1
发行 顺序 号码:
dtc114eet1/d
DTC114EET1 序列
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的
设备 和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络
consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 base–emitter
电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件 用
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少
两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这
sc–75/sot–416 包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面
挂载 产品.
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc–75/sot–416 包装 能 是 焊接 使用
波 或者 软熔焊接. 这 修改 gull–winged leads absorb
热的 压力 在 焊接 eliminating 这 possibility
的 损坏 至 这 消逝.
•
有 在 8 mm, 7 inch/3000 单位 录音带 &放大; 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k) Shipping
DTC114EET1
DTC124EET1
DTC144EET1
DTC114YET1
DTC143TET1
DTC123EET1
DTC143EET1
DTC143ZET1
DTC124XET1
DTC123JET1
8A
8B
8C
8D
8F
8H
8J
8K
8L
8M
10
22
47
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
10
22
47
47
∞
2.2
4.7
47
47
47
3000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
情况 463
sot–416/sc–75
样式 1
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
3
2
1
集电级
3
1
根基
2
发射级
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